Los sensores de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) en estado de agotamiento están surgiendo como una de las principales tecnologías candidatas para futuros detectores de seguimiento en colisionadores de alta luminosidad. Su capacidad de integrar el diodo de detección en la oblea de CMOS que alberga la electrónica de front-end permite reducir el ruido y aumentar la sensibilidad de la señal, gracias a la recolección directa de la señal del sensor por la electrónica de lectura. Son adecuados para entornos de alta radiación debido a la posibilidad de aplicar un alto voltaje de agotamiento y la disponibilidad de sustratos de resistividad relativamente alta. El uso de un proceso de fabricación comercial de CMOS conduce a la reducción de costos y permite una construcción más rápida de detectores de gran área. En esta contribución, se ofrece una perspectiva general del estado del arte de los detectores CMOS para experimentos de física de altas energías. Se resumen los principales desarrollos realizados en relación con estos dispositivos en el marco de la colaboración CERN RD50.