Este documento resume los resultados de las investigaciones de transistores bipolares realizadas en la tecnología VESTIC (Circuitos Integrados basados en Transistores de Hendidura Vertical). Esta tecnología fue propuesta por W. Maly como una alternativa a la tecnología clásica CMOS a granel. Sin embargo, la celda básica de VESTIC no solo se puede utilizar para fabricar transistores de efecto de campo, sino también para fabricar transistores bipolares. Sus estructuras difieren en muchos aspectos de las estructuras existentes de transistores bipolares. Las investigaciones reportadas aquí tienen como objetivo responder a la pregunta: ¿pueden ser útiles los transistores bipolares laterales basados en VESTIC como dispositivos activos y pueden ser fabricados tecnológicamente compatibles con dispositivos de efecto de campo VESTIC? Los estudios teóricos fueron seguidos por la fabricación y mediciones de dispositivos bipolares p-n-p y n-p-n basados en VESTIC. Aunque la tecnología de fabricación disponible estaba lejos de ser óptima, se obtuvieron dispositivos bipolares funcionales. Los resultados muestran que los dispositivos bipolares basados en VESTIC pueden lograr parámetros aceptables si se fabrican con tecnología de fabricación de última generación. El resultado principal de la investigación reportada en el documento es que los transistores bipolares p-n-p y n-p-n con parámetros aceptables pueden ser fabricados, junto con dispositivos de efecto de campo, en circuitos integrados basados en VESTIC. Como resultado, la tecnología VESTIC podría convertirse en la nueva tecnología BiCMOS original.