Los efectos de la radiación pueden inducir errores suaves severos y diversos en circuitos y sistemas digitales. Se seleccionó un FPGA basado en SRAM de 16 nm FinFET comercial de Xilinx para evaluar la sensibilidad a la radiación y promover la aplicación espacial de circuitos integrados de ultra gran escala FinFET. Se emplearon láser pulsado de picosegundos e iones pesados de alta energía para la irradiación. Antes de las pruebas, las CRAM basadas en SRAM se inicializaron y configuraron. Se utilizaron al 100% los BRAM integrados basados en la implementación de Vivado del lenguaje de descripción de hardware compilado. No se observó ningún error duro en las pruebas con láser ni con iones pesados. Los umbrales para la perturbación de un solo evento inducida por láser fueron ~3.5 nJ, y las secciones transversales de SEU estaban correlacionadas positivamente con la energía del láser. Se detectaron perturbaciones de varios bits en la irradiación con iones pesados y láser de alta energía. Además, los fenómenos de latch-up e interrupción funcional eran comunes, especialmente en las pruebas con iones pesados. Los resultados del efecto de un solo evento para el proceso FinFET de 16 nm fueron significativos, y se requerían algunas estrategias de tolerancia a la radiación en un entorno radiactivo.