La arquitectura FinFET ha atraído una creciente atención en las últimas dos décadas desde su invención, debido al buen control del electrodo de compuerta sobre el canal conductor que conduce a una alta inmunidad a los efectos de canal corto (ECCs). Con el fin de contribuir al avance de esta tecnología en rápido crecimiento, se realiza y calibra un n-FinFET SOI de 14 nm en 3D a los datos experimentales de IBM utilizando herramientas Silvaco TCAD. El modelo TCAD calibrado se investiga luego para analizar el impacto de cambiar el ancho de la aleta, la altura de la aleta, el material dieléctrico de compuerta y la longitud de la compuerta en los parámetros CC y RF. Los resultados logrados permiten obtener una mejor comprensión y una visión más profunda de los efectos de variar las dimensiones físicas y los materiales en el rendimiento del dispositivo, lo que permite la fabricación de un dispositivo adaptado a las restricciones y requisitos dados. Después de analizar los valores óptimos de diferentes cambios, se propone una nueva configuración de dispositivo, que muestra una buena mejora en las características eléctricas.