Variabilidad inducida por fluctuación de dopantes aleatorios en FinFET de compuerta dual de metal tipo n sin unión
Autores: Dai, Liang; Lü, Weifeng; Lin, Mi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Variabilidad inducida por fluctuación de dopantes aleatorios en FinFET de compuerta dual de metal tipo n sin unión
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Efecto
Fluctuación aleatoria de dopantes
Variabilidad
Tipo n sin unión
Compuerta de doble metal
Simulación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 39
Citaciones: Sin citaciones
Investigamos el efecto de la variabilidad inducida por la fluctuación de dopantes aleatorios (RDF) en transistores de efecto de campo de aleta (FinFETs) de compuerta dual de metal (DMG) tipo n-junctionless (JL) utilizando una simulación de diseño asistido por computadora en 3D. Mostramos que el voltaje de drenaje (V) tiene un impacto significativo en la variabilidad de la integridad electrostática causada por RDF y depende de la relación de las longitudes de compuerta. La variabilidad inducida por RDF también aumenta a medida que la longitud de la compuerta de control cerca de la fuente disminuye. Nuestras simulaciones sugieren que la proporción del metal de la compuerta cerca de la fuente con respecto a toda la compuerta debe ser mayor que 0.5.
Descripción
Investigamos el efecto de la variabilidad inducida por la fluctuación de dopantes aleatorios (RDF) en transistores de efecto de campo de aleta (FinFETs) de compuerta dual de metal (DMG) tipo n-junctionless (JL) utilizando una simulación de diseño asistido por computadora en 3D. Mostramos que el voltaje de drenaje (V) tiene un impacto significativo en la variabilidad de la integridad electrostática causada por RDF y depende de la relación de las longitudes de compuerta. La variabilidad inducida por RDF también aumenta a medida que la longitud de la compuerta de control cerca de la fuente disminuye. Nuestras simulaciones sugieren que la proporción del metal de la compuerta cerca de la fuente con respecto a toda la compuerta debe ser mayor que 0.5.