Factores de acoplamiento térmico estático en transistores bipolares de múltiples dedos: Parte II - Validación experimental
Autores: Gupta, Aakashdeep; Nidhin, K; Balanethiram, Suresh; Yadav, Shon; Chakravorty, Anjan; Fregonese, Sebastien; Zimmer, Thomas
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Factores de acoplamiento térmico estático en transistores bipolares de múltiples dedos: Parte II - Validación experimental
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Modelo
BEOL
SiGe
HBTs
Temperatura
Acoplamiento
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo, extendemos el modelo desarrollado en la parte I de este trabajo para incluir los efectos de las capas metálicas de back-end-of-line (BEOL) y probar su validez contra los resultados de medición en oblea de transistores bipolares de heterounión de SiGe (HBTs).
Descripción
En este trabajo, extendemos el modelo desarrollado en la parte I de este trabajo para incluir los efectos de las capas metálicas de back-end-of-line (BEOL) y probar su validez contra los resultados de medición en oblea de transistores bipolares de heterounión de SiGe (HBTs).