Una revisión de las oportunidades del proceso FET de Nanohojas Gate-All-Around
Autores: Mukesh, Sagarika; Zhang, Jingyun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Una revisión de las oportunidades del proceso FET de Nanohojas Gate-All-Around
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Innovaciones
Gate-all-around
Nanosheet FET
Voltajes de umbral
Geometría del canal
Desafíos de escalado
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se revisan las innovaciones en el diseño del dispositivo del transistor de efecto de campo de lámina nanométrica (FET) tipo compuerta-totalmente-alrededor (GAA). Estas innovaciones abarcan la posibilidad de múltiples voltajes de umbral y aislamiento dieléctrico inferior, además del impacto de la geometría del canal en el rendimiento general del dispositivo. Se revisan y discuten los desafíos actuales de escalamiento para los FET de lámina nanométrica GAA. Finalmente, se analiza las futuras innovaciones necesarias para continuar escalando los FET de lámina nanométrica y las tecnologías futuras.
Descripción
En este documento, se revisan las innovaciones en el diseño del dispositivo del transistor de efecto de campo de lámina nanométrica (FET) tipo compuerta-totalmente-alrededor (GAA). Estas innovaciones abarcan la posibilidad de múltiples voltajes de umbral y aislamiento dieléctrico inferior, además del impacto de la geometría del canal en el rendimiento general del dispositivo. Se revisan y discuten los desafíos actuales de escalamiento para los FET de lámina nanométrica GAA. Finalmente, se analiza las futuras innovaciones necesarias para continuar escalando los FET de lámina nanométrica y las tecnologías futuras.