Una implementación de filtro FIR de tercer orden basada en procesamiento de señales en modo temporal
Autores: Panetas-Felouris, Orfeas; Vlassis, Spyridon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Una implementación de filtro FIR de tercer orden basada en procesamiento de señales en modo temporal
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Hardware
Implementation
Low-pass
Finite impulse response
Filter
Time-mode
Signal processing circuits
Topology
Building blocks
Time addition
Time multiplication
Samsung
FD-SOI process
Simulation results
Signal-to-noise-plus-distortion ratio
SNDR
Input frequency
50 KHz
Consumption."hardware
Implementación
Paso bajo
Respuesta finita al impulso
Filtro
Modo de tiempo
Circuitos de procesamiento de señales
Topología
Bloques de construcción
Adición de tiempo
Multiplicación de tiempo
Samsung
Proceso FD-SOI
Resultados de simulación
Relación señal-ruido-más-distorsión
SNDR
Frecuencia de entrada
50 KHz
Consumo."
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
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Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta la implementación de hardware de un filtro FIR (respuesta finita al impulso) de paso bajo de 3er orden basado en circuitos de procesamiento de señales en modo tiempo. La topología del filtro consta de un conjunto de bloques de construcción novedosos que realizan las funciones necesarias en modo tiempo, incluyendo operación, adición de tiempo y multiplicación de tiempo. El filtro FIR de paso bajo en modo tiempo propuesto fue diseñado en un proceso FD-SOI (silicio sobre aislante completamente agotado) de Samsung de 28 nm con un voltaje de suministro de 1 V y una frecuencia de muestreo de 5 MHz. Los resultados de la simulación validan el análisis teórico. El filtro FIR logra una relación señal-ruido-más-distorsión (SNDR) de 38.6 dB en la frecuencia de entrada de 50 KHz consumiendo alrededor de 200 W.
Descripción
Este documento presenta la implementación de hardware de un filtro FIR (respuesta finita al impulso) de paso bajo de 3er orden basado en circuitos de procesamiento de señales en modo tiempo. La topología del filtro consta de un conjunto de bloques de construcción novedosos que realizan las funciones necesarias en modo tiempo, incluyendo operación, adición de tiempo y multiplicación de tiempo. El filtro FIR de paso bajo en modo tiempo propuesto fue diseñado en un proceso FD-SOI (silicio sobre aislante completamente agotado) de Samsung de 28 nm con un voltaje de suministro de 1 V y una frecuencia de muestreo de 5 MHz. Los resultados de la simulación validan el análisis teórico. El filtro FIR logra una relación señal-ruido-más-distorsión (SNDR) de 38.6 dB en la frecuencia de entrada de 50 KHz consumiendo alrededor de 200 W.