En este documento se propone un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico en forma de U (UMOSFET) con óxido escalonado de puerta dividida con electrodos flotantes dobles (DFSGRSO). Los electrodos flotantes están distribuidos simétricamente a ambos lados del electrodo de fuente en la trinchera. El rendimiento del UMOSFET DFSGRSO con diferentes tamaños de electrodos flotantes se simula y analiza. Los resultados de la simulación revelan que los electrodos flotantes pueden modular la distribución del campo eléctrico en el área de deriva, mejorando significativamente el rendimiento del dispositivo. La tensión de ruptura (BV) y la figura de mérito (FOM) del UMOSFET DFSGRSO en parámetros óptimos son un 23,6% y un 53,1% más altos que los de la estructura convencional. Además, se analiza el mecanismo regulatorio de los electrodos flotantes. El campo eléctrico se desplaza desde el fondo de la trinchera hasta el centro del área de deriva, lo que genera un nuevo pico de campo eléctrico. Por lo tanto, la distribución del campo eléctrico es más uniforme para el UMOSFET DFSGRSO en comparación con la estructura convencional.