Se presenta en este documento una estrategia de igualación de voltaje en serie para transistores de efecto de campo de óxido de metal de carburo de silicio (SiC) en este documento. Las diferencias en los parámetros del dispositivo y la asimetría del circuito resultan en una distribución desigual de voltaje de los SiC MOSFETs conectados en serie, lo que pone en peligro la operación segura del circuito. La igualación dinámica de voltaje es difícil de lograr debido a la rápida velocidad de conmutación de los SiC MOSFETs. Este documento analiza las características de conmutación y las características de igualación dinámica de voltaje de los SiC MOSFETs. Basándose en el análisis, se propone una estrategia de recuperación de energía basada en el circuito auxiliar de sujeción. Se fabrica y prueba un prototipo de 2.8 kW (50 KHz) para verificar la estrategia. Los resultados de medición muestran que la máxima tensión de voltaje se reduce de 600 V a menos de 320 V en la condición experimental.