Una estrategia de control de conducción jerárquica aplicada a MOSFETs de SiC en paralelo
Autores: Luo, Yin; Tang, Xiaoyan; Sun, Shikai; Liu, Jialin; Yang, Wenhao; Sun, Yuyin
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Una estrategia de control de conducción jerárquica aplicada a MOSFETs de SiC en paralelo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Estudio
SiC MOSFETs
Pérdida de conducción
Pérdida de conmutación
Eficiencia
Estrategia de monitoreo de corriente
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Los MOSFET de SiC (carburo de silicio) han sido ampliamente utilizados en la industria de la electrónica de potencia debido a sus características excepcionales.
Descripción
Los MOSFET de SiC (carburo de silicio) han sido ampliamente utilizados en la industria de la electrónica de potencia debido a sus características excepcionales.