Un transmisor BPSK bloqueado por inyección CMOS de onda milimétrica en 65 nm CMOS
Autores: Lin, Jiafu; Peng, He; Yang, Qichao; Berenguer, Roc; Liu, Gui
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Un transmisor BPSK bloqueado por inyección CMOS de onda milimétrica en 65 nm CMOS
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Comunicación de ondas milimétricas
Transmisor
Eficiencia
BPSK
Espectro
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 50
Citaciones: Sin citaciones
Para proporcionar comunicación inalámbrica de gigabit por segundo, se han propuesto e implementado varios estándares en los últimos años. Dado que la comunicación de ondas milimétricas (mm-wave) permite la transferencia de datos de alta velocidad sin comprimir con un retraso mínimo, se considera la tecnología más prometedora para aliviar la presión de la creciente demanda del recurso espectral. En este documento se presenta un transmisor de ondas milimétricas compacto y altamente eficiente. El transmisor de modulación por desplazamiento de fase binario (BPSK) bloqueado por inyección propuesto puede ofrecer una salida de 10.2 dBm con una eficiencia superior al 10%. El transmisor propuesto ocupa un área de chip de 0.105 mm en un proceso CMOS de 65 nm.
Descripción
Para proporcionar comunicación inalámbrica de gigabit por segundo, se han propuesto e implementado varios estándares en los últimos años. Dado que la comunicación de ondas milimétricas (mm-wave) permite la transferencia de datos de alta velocidad sin comprimir con un retraso mínimo, se considera la tecnología más prometedora para aliviar la presión de la creciente demanda del recurso espectral. En este documento se presenta un transmisor de ondas milimétricas compacto y altamente eficiente. El transmisor de modulación por desplazamiento de fase binario (BPSK) bloqueado por inyección propuesto puede ofrecer una salida de 10.2 dBm con una eficiencia superior al 10%. El transmisor propuesto ocupa un área de chip de 0.105 mm en un proceso CMOS de 65 nm.