Un tipo de modelo de memristor optoelectrónico y sus aplicaciones en lógica de múltiples valores
Autores: Wang, Jiayang; Lin, Yuzhe; Hu, Chenhao; Zhou, Shiqi; Gu, Shenyu; Yang, Mengjie; Ma, Guojin; Yan, Yunfeng
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Un tipo de modelo de memristor optoelectrónico y sus aplicaciones en lógica de múltiples valores
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Memristores
Sistemas informáticos inteligentes
No volatilidad
Tamaño de nanómetros
Bajo consumo de energía
Efecto optoelectrónico
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Los memristores han demostrado ser efectivos en sistemas informáticos inteligentes debido a las ventajas de no volatilidad, tamaño nanométrico, bajo consumo de energía, compatibilidad con la tecnología CMOS tradicional y transformación rápida de resistencia. En los últimos años, se ha dedicado considerable trabajo a la cuestión de cómo diseñar y optimizar modelos de memristores con diferentes estructuras y mecanismos físicos. A pesar de que el efecto optoelectrónico inevitablemente hace que el proceso de modelado sea más complejo y desafiante, relativamente pocos trabajos de investigación se dedican al modelado de memristores optoelectrónicos. Basándose en esto, este artículo desarrolla un modelo de memristor optoelectrónico (que contiene un modelo matemático y un modelo de circuito). Además, se discute el circuito de memristor compuesto (configuración conectada en serie y en paralelo) con un mecanismo de rotación. Además, se diseña un circuito lógico de valores múltiples, capaz de realizar múltiples funciones lógicas de 0 a 1, verificando la validez y efectividad del modelo de memristor establecido, así como abriendo un nuevo camino para la implementación de lógica difusa en circuitos.
Descripción
Los memristores han demostrado ser efectivos en sistemas informáticos inteligentes debido a las ventajas de no volatilidad, tamaño nanométrico, bajo consumo de energía, compatibilidad con la tecnología CMOS tradicional y transformación rápida de resistencia. En los últimos años, se ha dedicado considerable trabajo a la cuestión de cómo diseñar y optimizar modelos de memristores con diferentes estructuras y mecanismos físicos. A pesar de que el efecto optoelectrónico inevitablemente hace que el proceso de modelado sea más complejo y desafiante, relativamente pocos trabajos de investigación se dedican al modelado de memristores optoelectrónicos. Basándose en esto, este artículo desarrolla un modelo de memristor optoelectrónico (que contiene un modelo matemático y un modelo de circuito). Además, se discute el circuito de memristor compuesto (configuración conectada en serie y en paralelo) con un mecanismo de rotación. Además, se diseña un circuito lógico de valores múltiples, capaz de realizar múltiples funciones lógicas de 0 a 1, verificando la validez y efectividad del modelo de memristor establecido, así como abriendo un nuevo camino para la implementación de lógica difusa en circuitos.