Un tipo de memoria de puerta semi-flotante con tensión de tracción para un rendimiento mejorado
Autores: Yuan, Ying; Jiang, Shuye; Sun, Bingqi; Chen, Lin; Zhu, Hao; Sun, Qingqing; Zhang, David Wei
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Un tipo de memoria de puerta semi-flotante con tensión de tracción para un rendimiento mejorado
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos
Transistor de compuerta semi-flotante
Velocidad ultra rápida
Tecnología compatible con silicio
Tecnología de tensión
Rendimiento de retención
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
Con la continua reducción de dispositivos, la memoria dinámica de acceso aleatorio de un transistor y un capacitor (DRAM 1T-1C) tradicional ha enfrentado grandes desafíos originados por el gran volumen del capacitor y la alta corriente de fuga. Se ha propuesto un transistor de compuerta semi-flotante como una memoria sin capacitor con una velocidad ultra rápida y tecnología compatible con el silicio. En este trabajo, se ha demostrado una memoria de compuerta semi-flotante en forma de U con tecnología de tensión a través de la simulación TCAD. Velocidad de operación ultra alta en una escala de tiempo de 5 ns a bajos voltajes de operación.
Descripción
Con la continua reducción de dispositivos, la memoria dinámica de acceso aleatorio de un transistor y un capacitor (DRAM 1T-1C) tradicional ha enfrentado grandes desafíos originados por el gran volumen del capacitor y la alta corriente de fuga. Se ha propuesto un transistor de compuerta semi-flotante como una memoria sin capacitor con una velocidad ultra rápida y tecnología compatible con el silicio. En este trabajo, se ha demostrado una memoria de compuerta semi-flotante en forma de U con tecnología de tensión a través de la simulación TCAD. Velocidad de operación ultra alta en una escala de tiempo de 5 ns a bajos voltajes de operación.