Un tipo de memoria de compuerta semi-flotante basada en sustrato SOI mediante simulación TCAD
Autores: Li, Han; Wang, Chen; Chen, Lin; Zhu, Hao; Sun, Qingqing
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Un tipo de memoria de compuerta semi-flotante basada en sustrato SOI mediante simulación TCAD
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Escalado dimensional
Dispositivos electrónicos de semiconductores
Memoria de acceso aleatorio dinámica
Transistor de compuerta semifleotante
Sustrato de silicio sobre aislante
Características de retención
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
Durante la última década, el escalado dimensional de los dispositivos electrónicos de semiconductores ha enfrentado desafíos fundamentales y físicos, y actualmente existe una necesidad urgente de aumentar la capacidad de la memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM).
Descripción
Durante la última década, el escalado dimensional de los dispositivos electrónicos de semiconductores ha enfrentado desafíos fundamentales y físicos, y actualmente existe una necesidad urgente de aumentar la capacidad de la memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM).