Un robusto red de coincidencia LC para receptor PAM4 de 112 Gb/s en 28 nm CMOS
Autores: Han, Gengshi; Zheng, Xuqiang; Xu, Hua; Wang, Zedong; Wen, Zhanhao; He, Yu; Chen, Bao; Liu, Xinyu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Un robusto red de coincidencia LC para receptor PAM4 de 112 Gb/s en 28 nm CMOS
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Detalles de diseño
Red de adaptación de impedancia
Estructura LC
Alambre de unión
Resultados de simulación
Parásitos
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo presenta el análisis, detalles de diseño y resultados de simulación de una red de adaptación de impedancia diseñada para un receptor de modulación de amplitud de pulso-4 (PAM4) de 112 Gb/s utilizando una estructura LC. Diseñamos el cable de unión como parte de la red de adaptación, lo que redujo la presión de diseño en el ecualizador ya que no será necesario compensar la pérdida del paquete del chip. Para evitar problemas de robustez causados por la fluctuación de la inductancia del cable de unión, la red de adaptación está diseñada para ser ajustable por la capacitancia y la resistencia terminal. Analizamos los parásitos en el diseño y la influencia de metales cercanos y ficticios, y obtuvimos resultados de simulación confiables a través de la simulación de campo electromagnético. Esta red de adaptación está diseñada con un proceso CMOS de 28 nm. Los resultados de la simulación posterior al diseño muestran que con la inductancia del cable de unión cambiando de 150 pH a 250 pH, siempre puede cumplir con los requisitos de la Interfaz de Alcance Extra Corto CEI-112G-XSR-PAM4.
Descripción
Este artículo presenta el análisis, detalles de diseño y resultados de simulación de una red de adaptación de impedancia diseñada para un receptor de modulación de amplitud de pulso-4 (PAM4) de 112 Gb/s utilizando una estructura LC. Diseñamos el cable de unión como parte de la red de adaptación, lo que redujo la presión de diseño en el ecualizador ya que no será necesario compensar la pérdida del paquete del chip. Para evitar problemas de robustez causados por la fluctuación de la inductancia del cable de unión, la red de adaptación está diseñada para ser ajustable por la capacitancia y la resistencia terminal. Analizamos los parásitos en el diseño y la influencia de metales cercanos y ficticios, y obtuvimos resultados de simulación confiables a través de la simulación de campo electromagnético. Esta red de adaptación está diseñada con un proceso CMOS de 28 nm. Los resultados de la simulación posterior al diseño muestran que con la inductancia del cable de unión cambiando de 150 pH a 250 pH, siempre puede cumplir con los requisitos de la Interfaz de Alcance Extra Corto CEI-112G-XSR-PAM4.