Un receptor de doble modo de 920 MHz con recolección de energía para etiqueta de RFID UHF y IoT
Autores: Han, Peiqing; Zhang, Zhaofeng; Xia, Yajun; Mei, Niansong
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Un receptor de doble modo de 920 MHz con recolección de energía para etiqueta de RFID UHF y IoT
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Receptor de doble modo
Ultra alta frecuencia
Sistemas de RFID
Recolección de energía
Sensibilidad
Proceso CMOS
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
Se presenta un receptor de doble modo de baja potencia para sistemas de identificación por radiofrecuencia (RFID) de ultra alta frecuencia (UHF). La arquitectura reconfigurable de la etiqueta se propone ser compatible con modos de operación de baja potencia y alta sensibilidad. La gama de lectura del sistema RFID y la vida útil de la etiqueta se incrementan mediante una topología de captación de energía fotovoltaica, termoeléctrica y de RF. El receptor se implementa en un proceso CMOS estándar de 0.18 um y ocupa un área activa de 0.65 mm x 0.7 mm. Para el modo de baja potencia, la etiqueta es alimentada por el rectificador y la sensibilidad es de -18 dBm. Para el modo de alta sensibilidad, la máxima eficiencia de conversión de energía totalmente integrada en el chip es del 46.5% con más de 1 W de potencia de salida y la sensibilidad es de -40 dBm con un consumo de energía de 880 nW bajo un voltaje de suministro de 0.8 V.
Descripción
Se presenta un receptor de doble modo de baja potencia para sistemas de identificación por radiofrecuencia (RFID) de ultra alta frecuencia (UHF). La arquitectura reconfigurable de la etiqueta se propone ser compatible con modos de operación de baja potencia y alta sensibilidad. La gama de lectura del sistema RFID y la vida útil de la etiqueta se incrementan mediante una topología de captación de energía fotovoltaica, termoeléctrica y de RF. El receptor se implementa en un proceso CMOS estándar de 0.18 um y ocupa un área activa de 0.65 mm x 0.7 mm. Para el modo de baja potencia, la etiqueta es alimentada por el rectificador y la sensibilidad es de -18 dBm. Para el modo de alta sensibilidad, la máxima eficiencia de conversión de energía totalmente integrada en el chip es del 46.5% con más de 1 W de potencia de salida y la sensibilidad es de -40 dBm con un consumo de energía de 880 nW bajo un voltaje de suministro de 0.8 V.