El enfoque de imagen de onda milimétrica es un candidato prometedor para satisfacer las necesidades no satisfechas de la imagen biomédica en tiempo real, como la resolución, el área focal y el costo. Como parte del esfuerzo por hacer que la imagen de onda milimétrica sea más factible, este documento presenta un oscilador CMOS que genera una alta potencia de salida en el rango de frecuencia de onda milimétrica, con una alta frecuencia de oscilación fundamental. El oscilador propuesto adopta una topología de resistencia negativa selectiva de frecuencia para mejorar la transconductancia negativa y aumentar la frecuencia fundamental de oscilación. El oscilador propuesto se implementó en un proceso CMOS a granel de 65 nm. La potencia de salida más alta medida es de -2.2 dBm a 190 GHz mientras disipa 100 mW de un voltaje de suministro de 2.8 V.