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Un modulador OOK distribuido de banda V de alta velocidad en CMOS de 65 nm

Autores: Mehmood, Zubair; Seo, Munkyo

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Un modulador OOK distribuido de banda V de alta velocidad en CMOS de 65 nm


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Propuesto
Modulador
Alta velocidad
OOK
CMOS
Líneas de transmisión

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 44

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este documento presenta un modulador OOK de banda V de alta velocidad en 65 nm CMOS basado en una arquitectura de líneas de transmisión distribuidas. La operación de alta velocidad del modulador OOK propuesto se logra distribuyendo un solo transistor de conmutación grande en unidades más pequeñas. Los efectos de las capacitancias parásitas de cada interruptor pequeño se mitigan con inductores en serie, formando una línea de transmisión artificial. El tamaño del interruptor y el número de etapas se optimizan para un equilibrio razonable entre la pérdida de inserción y el aislamiento. La medición de señal pequeña del modulador OOK revela una pérdida de inserción de 3.8 dB y un aislamiento de 20.5 dB a 60 GHz, con una relación de encendido y apagado de 16 dB de 50 GHz a 70 GHz. Las pruebas con una configuración de modulación muestran que el modulador es completamente funcional hasta 5 Gbps en un portador de 60 GHz. Las limitaciones de la configuración de prueba impiden las pruebas de modulación a >5 Gbps. El modulador fabricado no consume energía de CC y tiene una huella activa de 0.025 mm.

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