Un modelo de especias para IGBT y MOSFET de potencia centrado en EMI/EMC en sistemas de alta tensión
Autores: Khvitia, Badri; Gheonjian, Anna; Kutchadze, Zviadi; Jobava, Roman
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Un modelo de especias para IGBT y MOSFET de potencia centrado en EMI/EMC en sistemas de alta tensión
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistores de potencia
IGBT
MOSFET
Interferencia electromagnética
Compatibilidad electromagnética
Sistemas de alta tensión
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 57
Citaciones: Sin citaciones
Describimos dos modelos de Transistores de Potencia (IGBT, MOSFET); ambos se utilizaron con éxito para el análisis de interferencia electromagnética (EMI) y compatibilidad electromagnética (EMC) al modelar sistemas de alto voltaje (PFC, DC/DC, inversor, etc.).
Descripción
Describimos dos modelos de Transistores de Potencia (IGBT, MOSFET); ambos se utilizaron con éxito para el análisis de interferencia electromagnética (EMI) y compatibilidad electromagnética (EMC) al modelar sistemas de alto voltaje (PFC, DC/DC, inversor, etc.).