Un modelo de circuito preciso para el comportamiento estadístico del SPAD de InP/InGaAs
Autores: Xie, Sheng; Liu, Junting; Zhang, Fan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Un modelo de circuito preciso para el comportamiento estadístico del SPAD de InP/InGaAs
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Campo
Detección de luz débil de infrarrojo cercano
Fotodiodo de avalancha de fotón único InP/InGaAs
Modelo de comportamiento
Ruido de cuenta oscura
Lenguaje de descripción de hardware Verilog-A
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
En el campo de la detección de luz débil en el infrarrojo cercano, se prefiere un diodo de avalancha de fotones (SPAD) de InP/InGaAs debido a las ventajas de alta sensibilidad, bajo costo y operación a temperatura ambiente.
Descripción
En el campo de la detección de luz débil en el infrarrojo cercano, se prefiere un diodo de avalancha de fotones (SPAD) de InP/InGaAs debido a las ventajas de alta sensibilidad, bajo costo y operación a temperatura ambiente.