Debido a los constantes cambios del entorno y la carga, el módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) está sujeto a una gran cantidad de fluctuaciones de temperatura de unión, lo que a menudo conduce a daños en los hilos de unión. Los parámetros de monitoreo de los IGBT a menudo están acoplados con , lo que aumenta la dificultad de monitorear el estado de salud de los IGBT en línea. En este documento, basado en el circuito de monitoreo en línea de la corriente del colector () y el voltaje de estado activo colector-emisor () de los IGBT, se propone un método de monitoreo en línea del envejecimiento de los hilos de unión de los IGBT contra interferencias. Primero, se establece el modelo de envejecimiento de los hilos de unión, y se selecciona como parámetro de monitoreo. En segundo lugar, tomando como ejemplo un circuito inversor trifásico, se monitorean en tiempo real las formas de onda de los IGBT y , y se introduce el proceso de monitoreo en línea en consecuencia. Finalmente, los resultados experimentales generados por RT-LAB indican que el método propuesto en este documento puede identificar con precisión el estado de envejecimiento de los hilos de unión de los IGBT bajo diferentes condiciones.