En el circuito del inversor, la velocidad a la que el MOSFET se ve afectado por la presencia de un inductor parásito dentro de la placa de circuito impreso (PCB) conduce a un retraso en el proceso de conmutación. Además, el inductor parásito dentro del circuito puede formar fácilmente una oscilación LC con el capacitor parásito del MOSFET. Estos dos problemas resultan en una inconsistencia entre la salida real del MOSFET y la forma de onda de la señal de conducción, lo que conduce a distorsión en la forma de onda de modulación de ancho de pulso sinusoidal (SPWM) y un aumento en la distorsión armónica total (THD). Es una práctica común mitigar la oscilación de la compuerta introduciendo una resistencia en la compuerta del MOSFET. Sin embargo, elevar la resistencia conduce a una desaceleración en el proceso de carga del capacitor parásito del MOSFET, lo que causa un aumento en el retraso de conmutación y, por lo tanto, aumenta el THD. Por lo tanto, en este documento se propone una estrategia efectiva para reducir el THD, al mismo tiempo que se aumenta la resistencia de la compuerta, se calcula el retraso de conmutación del MOSFET y se aplica una compensación correctiva. De esta manera, se abordan los problemas inherentes del interruptor, lo que resulta en formas de onda de salida del inversor que se asemejan estrechamente a las ondas sinusoidales y en una reducción del THD. A través de una combinación de simulación y experimentación empírica, se ha demostrado empíricamente la eficacia del enfoque propuesto en la reducción significativa del THD en la forma de onda de salida del inversor.