En este artículo se propone un circuito integrado monolítico de microondas de predistorsión analógica de banda Ka (APD) de banda ancha con sintonización independiente basado en un proceso GaAs pHEMT de 0.15 m, que se puede encadenar delante de amplificadores de tubo de onda viajera (TWTAs) para mejorar su linealidad. Se analiza la influencia de diferentes tamaños de diodos en los parámetros de los diodos Schottky y se utilizan para diseñar las ramas no lineales de ganancia y fase. El APD MMIC de banda ancha se realiza en base a un diseño de síntesis de vector de doble rama y módulo de ajuste de frecuencia no lineal (NFAM). La sintonización independiente y las características de banda ancha del APD MMIC son verificadas por resultados simulados y medidos con un error de menos del 5%. Además, un TWT de 60 W de banda Ka es linealizado por el APD MMIC, y las compresiones de ganancia y fase se reducen de 8 dB y 50 grados a dentro de 3 dB y 12 grados, respectivamente. La intermodulación de tercer orden (C/IM3) es mayor de 28 dBc y la relación de potencia de ruido (NPR) es mayor de 15.7 dBc a 3 dB de retroceso de potencia de salida (OPBO) sobre la banda de operación de 25.1 a 27.5 GHz, lo que indica que el APD MMIC puede mejorar la no linealidad de manera efectiva bajo señales de banda ancha.