Un índice de mérito para la selección de la mejor familia de MOSFET de potencia de SiC
Autores: Chaturvedi, Mayank; Dimitrijev, Sima; Haasmann, Daniel; Moghadam, Hamid Amini; Pande, Peyush; Jadli, Utkarsh
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un índice de mérito para la selección de la mejor familia de MOSFET de potencia de SiC
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Potencia
Transistores de efecto de campo de óxido metálico
SiC
Calidad
Confiabilidad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Este documento propone un criterio para seleccionar la mejor familia de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia de SiC comercial que brinde la mayor calidad y confiabilidad. Aplicando un método de carga integrada recientemente publicado, se correlaciona una figura de mérito recién propuesta con la densidad de trampas cercanas a la interfaz que degradan la calidad y confiabilidad de los MOSFET de SiC. La aplicabilidad de la figura de mérito propuesta se demuestra experimentalmente con los MOSFET planares y de trinchera más utilizados y disponibles comercialmente de diferentes fabricantes.
Descripción
Este documento propone un criterio para seleccionar la mejor familia de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia de SiC comercial que brinde la mayor calidad y confiabilidad. Aplicando un método de carga integrada recientemente publicado, se correlaciona una figura de mérito recién propuesta con la densidad de trampas cercanas a la interfaz que degradan la calidad y confiabilidad de los MOSFET de SiC. La aplicabilidad de la figura de mérito propuesta se demuestra experimentalmente con los MOSFET planares y de trinchera más utilizados y disponibles comercialmente de diferentes fabricantes.