En el presente estudio, se investigan los efectos de la incorporación de nitrógeno en la transición de un semiconductor de óxido de cobre de tipo p. Las propiedades del óxido de cobre pulverizado y del óxido de cobre incorporado con nitrógeno se evalúan y comparan a diferentes velocidades de flujo de gas de nitrógeno. Los resultados indican que la adición de nitrógeno resulta en un aumento en la banda prohibida óptica, acompañado de estados de cola significativamente reducidos en comparación con el óxido de cobre prístino. Además, la difracción de rayos X y la espectroscopía fotoelectrónica de rayos X revelan que la incorporación de nitrógeno estimula la transición de óxido de cobre (II) a óxido de cobre (I).