Este trabajo propone un nuevo amplificador de bajo ruido linealizado (LNA) para aplicaciones de banda X con ganancia de potencia plana, bajo rendimiento de ruido y linealidad mejorada. En este estudio, se utiliza una topología de triple cascada con red de doble resonancia y se introduce una red de post-distorsión modificada para mejorar la linealidad. El LNA utiliza un transistor NMOS auxiliar en subumbrales para reducir la no linealidad con bajo consumo de energía. Además, se propone una metodología para predecir las características del rendimiento de linealidad del LNA propuesto con una red de post-distorsión modificada. Con un pequeño aumento de 1 mW en el consumo de energía debido a la inclusión de la red de post-distorsión, el punto de intercepción de entrada IIP3 se mejora y se encuentra en el rango de -3 a +8 dBm en el rango de frecuencia de 8 a 12 GHz. Implementado en el proceso CMOS de Global Foundries de 130 nm, el LNA logra una ganancia máxima de 18 dB y un NF mínimo de 1.3 dB en el rango de 8 a 12 GHz. El LNA propuesto requiere un área de 1.2 y una potencia de 18 mW.