Un circuito sensor reactivo y en chip para un diseño de SRAM resistente a NBTI y PBTI
Autores: Yadav, Nandakishor; Kim, Youngbae; Alashi, Mahmoud; Choi, Kyuwon Ken
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Un circuito sensor reactivo y en chip para un diseño de SRAM resistente a NBTI y PBTI
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Variación
Inestabilidad por sesgo de temperatura
Degradación dieléctrica dependiente del tiempo
Diseño de chip semiconductor
Confiabilidad
Técnica adaptativa basada en sensores
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
La técnica propuesta de degradación en chip usando el monitoreo de corriente de fuga en tiempo de ejecución compensa la variación debido a PV y al envejecimiento utilizando el circuito generador de voltaje de polarización del cuerpo.
Descripción
La técnica propuesta de degradación en chip usando el monitoreo de corriente de fuga en tiempo de ejecución compensa la variación debido a PV y al envejecimiento utilizando el circuito generador de voltaje de polarización del cuerpo.