Un chip de múltiples funciones de dos canales GaAs de 7,5 a 9 GHz
Autores: Zhou, Shancheng; Zhou, Shouli; Zhang, Jingle; Wu, Jianmin; Yang, Haiqing; Wang, Zhiyu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Un chip de múltiples funciones de dos canales GaAs de 7,5 a 9 GHz
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Gaas
PHEMT
Cambiador de fase
Atenuador
Interruptor SPST
Convertidor serie-paralelo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
Basado en el proceso de Transistor de Movilidad Electrónica de Alta Electrones Pseudomórfico (pHEMT) de mejora/depleción (E/D) de 0.5 m GaAs, se desarrolló con éxito un chip multifunción (MFC) de control de fase de amplitud de dos canales de 7.5-9 GHz.
Descripción
Basado en el proceso de Transistor de Movilidad Electrónica de Alta Electrones Pseudomórfico (pHEMT) de mejora/depleción (E/D) de 0.5 m GaAs, se desarrolló con éxito un chip multifunción (MFC) de control de fase de amplitud de dos canales de 7.5-9 GHz.