Este documento proporciona los resultados de una comparación exhaustiva entre amplificadores de óxido metálico complementario (CMOS) con baja susceptibilidad a interferencias electromagnéticas (EMI). Representan el estado del arte en diseño de baja susceptibilidad a EMI. Se ha considerado un escenario exhaustivo para la contaminación por EMI: la interferencia inyectada puede llegar directamente a los pines del amplificador o puede acoplarse desde la tierra de la placa de circuito impreso (PCB). Este también es un punto clave para evaluar la susceptibilidad a EMI acoplada al pin de salida. Todos los amplificadores son rediseñados en un proceso CMOS de 180 nm de United Microelectronics Corporation (UMC) para tener una comparación justa. Las topologías investigadas y comparadas se derivan básicamente de las topologías Miller y de cascode plegado, que son bien conocidas y ampliamente utilizadas por diseñadores analógicos de CMOS.