Un análisis de la fiabilidad de los diodos láser IR integrados para la fotónica de silicio
Autores: Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Norman, Justin; Shang, Chen; Bowers, John Edward; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Un análisis de la fiabilidad de los diodos láser IR integrados para la fotónica de silicio
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Visión general
Mecanismos de degradación
Fiabilidad
Láseres de semiconductor
Fotónica de silicio
Crecimiento epitaxial
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 46
Citaciones: Sin citaciones
Con este artículo de revisión proporcionamos una visión general de los principales mecanismos de degradación que limitan la fiabilidad a largo plazo de los láseres semiconductores de IR para aplicaciones de fotónica de silicio.
Descripción
Con este artículo de revisión proporcionamos una visión general de los principales mecanismos de degradación que limitan la fiabilidad a largo plazo de los láseres semiconductores de IR para aplicaciones de fotónica de silicio.