Este documento describe el diseño y el rendimiento medido de un amplificador MMIC de banda K de alta eficiencia y linealidad mejorada fabricado con una tecnología de procesamiento GaAs pHEMT de 0.15 m. El método de mejora de la linealización utilizando un diodo de compensación de capacitancia no lineal en paralelo fue analizado y verificado. El MMIC de tres etapas operando a 20-22 GHz obtuvo una relación de intermodulación de tercer orden (IM3) mejorada de 20 dBc a una potencia de salida por portadora de 27 dBm, demostrando una ganancia de señal pequeña superior a 27 dB y una potencia de salida del punto de compresión de 1 dB de 30 dBm con una eficiencia de potencia añadida del 33% (PAE). La dimensión del chip fue de 2.00 mm x 1.40 mm.