Este artículo presenta un amplificador de alta potencia (HPA) de 32 GHz con una estrategia de diseño para lograr una alta potencia de salida con operación confiable para comunicaciones satelitales en banda Ka en tecnología GaN HEMT de 150 nm. El HPA de banda Ka presentado emplea una topología de amplificador de fuente común de dos etapas en cascada, y la etapa de salida comprende una red de combinación de potencia de ocho vías en modo de corriente. La red de adaptación entre etapas está diseñada con una configuración de paso de banda utilizando condensadores y líneas de transmisión para proporcionar una mejor estabilidad en el régimen de baja frecuencia. El HPA de banda Ka implementado logró una ganancia de potencia de 7.3 dB en el nivel de entrada con la máxima eficiencia de PAE a 32 GHz, y el ancho de banda de ganancia de 3 dB fue de 3.5 GHz (31.3~34.8 GHz). La potencia de salida saturada en el punto de máxima eficiencia de potencia agregada (PAE) del 19.3% fue de 38.2 dBm, y el punto de compresión de ganancia de 1 dB de salida (OP1 dB) fue de 27.4 dBm en la medición. El HPA diseñado consume un área de 19.35 mm incluyendo almohadillas de RF y almohadillas de CC.