Este documento presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) de banda múltiple en el proceso de silicio sobre aislante (SOI) de 45 nm CMOS. El LNA consta de tres etapas, con el amplificador de cascode diferencial como la estructura central. La primera etapa es principalmente responsable de la coincidencia de entrada para garantizar características de ruido favorables y ancho de banda, mientras que las etapas posteriores aumentan la ganancia. Además, el LNA utiliza baluns para la coincidencia de impedancia de entrada/salida e interetapa. Se agregan capacitancias de conmutación para cambiar las tres bandas de funcionamiento del LNA, que cubren en total 17-38 GHz. Los resultados de las mediciones muestran que el LNA propuesto logra una ganancia (S21) de 23.0 dB y una figura de ruido (NF) de 4.0 dB.