Este documento presenta una referencia de bandgap (BGR) con compensación segmentada de alto orden de temperatura. La señal de compensación se genera utilizando la diferencia de voltaje entre dos bases emisoras de transistores bipolares de unión (BJT), cada una de las cuales carga individualmente una corriente proporcional a la temperatura absoluta (PTAT) y una corriente de temperatura de cero a absoluta (ZTAT). La BGR propuesta logra un bajo coeficiente de temperatura (TC) en un amplio rango de temperaturas. Las simulaciones utilizando el proceso Bipolar-CMOS-DMOS de 0.18 m muestran un TC típico de 2.25 ppm/ gradosC desde -40 gradosC hasta 125 gradosC. Con un área activa de 0.07986 mm, consume 36 W de potencia bajo un voltaje de operación de 1 V. El ruido de salida integrado de 0.1 Hz a 10 Hz es de 81.1 V.