Ultrabaja tensión FinFET versus celdas STT-MRAM basadas en TFET para aplicaciones de IoT
Autores: Garzón, Esteban; Lanuzza, Marco; Taco, Ramiro; Strangio, Sebastiano
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Ultrabaja tensión FinFET versus celdas STT-MRAM basadas en TFET para aplicaciones de IoT
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Túnel magnético de unión
STT-MRAM
TFET
FinFET
Voltajes ultrabajos
Aplicaciones de IoT
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 50
Citaciones: Sin citaciones
La memoria RAM magnética de transferencia de torque de giro (STT-MRAM) basada en la unión magnética de doble barrera (DMTJ) ha mostrado características prometedoras para definir memorias no volátiles de bajo consumo de energía. Esto, junto con la combinación de la tecnología de transistor de efecto túnel (TFET), podría permitir el diseño de STT-MRAMs ultrabajas en consumo de energía para futuras aplicaciones de Internet de las cosas (IoT).
Descripción
La memoria RAM magnética de transferencia de torque de giro (STT-MRAM) basada en la unión magnética de doble barrera (DMTJ) ha mostrado características prometedoras para definir memorias no volátiles de bajo consumo de energía. Esto, junto con la combinación de la tecnología de transistor de efecto túnel (TFET), podría permitir el diseño de STT-MRAMs ultrabajas en consumo de energía para futuras aplicaciones de Internet de las cosas (IoT).