Con el avance de los dispositivos más allá de CMOS para mantener viva la ley de Moore, varios dispositivos emergentes han encontrado aplicación en una amplia gama de aplicaciones. Los dispositivos espintrónicos ofrecen baja potencia, no volatilidad, aleatoriedad espacial y temporal inherente, simplicidad de integración con un sustrato de silicio, etc. Esto los convierte en un candidato potencial para las opciones de hardware de próxima generación. Este trabajo explora el efecto gigante de Hall espintrónico (GSHE) impulsado por el torque de espín-órbita (SOT) en una unión magnética de túnel (MTJ) como un candidato potencial para crear un troyano de hardware activado externamente e insertarlo en la seguridad de hardware bloqueado lógicamente considerando el efecto de las variaciones de proceso y temperatura.