Los avances recientes en la tecnología de semiconductores nos brindan los recursos para explorar métodos alternativos para fabricar transistores con el objetivo de reducir aún más sus tamaños para aumentar la densidad de transistores y mejorar el rendimiento. Los transistores convencionales utilizan uniones de semiconductores; se forman mediante la dopaje de átomos en el sustrato de silicio que crea regiones tipo p y tipo n. Reducir el tamaño de estos transistores implica que las uniones se acerquen, lo que se vuelve muy desafiante cuando el tamaño se reduce a la escala de nanómetros más baja debido a la necesidad de gradientes extremadamente altos en la concentración de dopaje. Una de las soluciones más prometedoras para superar este problema es la realización de transistores sin unión. El primer dispositivo sin unión se fabricó en 2010 y, desde entonces, se han propuesto e investigado muchos otros transistores de este tipo (como FinFET, Gate-All-Around, Thin Film). Todos estos dispositivos semiconductores se caracterizan por estructuras sin unión, pero difieren entre sí al considerar la influencia de los parámetros tecnológicos en su rendimiento. El objetivo de este artículo de revisión es proporcionar un análisis simple pero completo de los transistores sin unión, que se han propuesto en la última década. En este trabajo, los transistores sin unión se clasifican en base a sus estructuras geométricas, modelo analítico y características eléctricas. Finalmente, utilizamos figuras de mérito, como , , y , para resaltar las ventajas y desventajas de cada categoría de transistor sin unión.