= 50 nm transistores MOSFET de nanoláminas de InGaAs Gate-All-Around con contactos regenerados de InGaAs
Autores: Lee, In-Geun; Jo, Hyeon-Bhin; Baek, Ji-Min; Lee, Sang-Tae; Choi, Su-Min; Kim, Hyo-Jin; Park, Wan-Soo; Yoo, Ji-Hoon; Ko, Dae-Hong; Kim, Tae-Woo; Kim, Sang-Kuk; Kim, Jae-Gyu; Yun, Jacob; Kim, Ted; Lee, Jung-Hee; Shin, Chan-Soo; Lee, Jae-Hak; Seo, Kwang-Seok; Kim, Dae-Hyun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
= 50 nm transistores MOSFET de nanoláminas de InGaAs Gate-All-Around con contactos regenerados de InGaAs
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Fabricación
Caracterización
Gate-All-Around
Nanolámina de InGaAs
MOSFETs
Subthreshold-swing
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, informamos sobre la fabricación y caracterización de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de nanolámina de InGaAs con estructura en torno a la compuerta de 50 nm (GAA) con un grosor de nanolámina inferior a 20 nm que fueron fabricados a través de un proceso de regeneración de S/D. Los MOSFET GAA de nanolámina de InGaAs fabricados presentan una capa dieléctrica de alta constante dieléctrica de doble capa de AlO/HfO, junto con un metal de compuerta de TiN crecido por ALD de forma cruzada. El dispositivo con = 50 nm, = 200 nm y = 10 nm mostró una excelente combinación de comportamiento de oscilación subumbral (< 80 mV/dec.) y propiedades de transporte de portadores (= 1,86 mS/m y = 0,4 mA/m) a V = 0,5 V. Hasta donde sabemos, esta es la primera demostración de MOSFET GAA de nanolámina de InGaAs que sería directamente aplicable para su uso en futuros dispositivos de canal múltiple en puente (MBC).
Descripción
En este documento, informamos sobre la fabricación y caracterización de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de nanolámina de InGaAs con estructura en torno a la compuerta de 50 nm (GAA) con un grosor de nanolámina inferior a 20 nm que fueron fabricados a través de un proceso de regeneración de S/D. Los MOSFET GAA de nanolámina de InGaAs fabricados presentan una capa dieléctrica de alta constante dieléctrica de doble capa de AlO/HfO, junto con un metal de compuerta de TiN crecido por ALD de forma cruzada. El dispositivo con = 50 nm, = 200 nm y = 10 nm mostró una excelente combinación de comportamiento de oscilación subumbral (< 80 mV/dec.) y propiedades de transporte de portadores (= 1,86 mS/m y = 0,4 mA/m) a V = 0,5 V. Hasta donde sabemos, esta es la primera demostración de MOSFET GAA de nanolámina de InGaAs que sería directamente aplicable para su uso en futuros dispositivos de canal múltiple en puente (MBC).