Efectos de la escala de grosor equivalente de óxido y ancho de aleta en transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor de triple puerta de InGaAs con AlO/HfO para aplicaciones lógicas de baja potencia
Autores: Kim, Tae-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Efectos de la escala de grosor equivalente de óxido y ancho de aleta en transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor de triple puerta de InGaAs con AlO/HfO para aplicaciones lógicas de baja potencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Pila de compuertas
InGaAs
MOSFETs
Efectos de escala
Espesor equivalente de óxido
Ancho de aleta
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Creamos transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de compuerta tri-gate de InGaAs por debajo de los 100 nm con una pila de compuerta de doble capa AlO/HfO y estudiamos los efectos de escala en el grosor equivalente de óxido (EOT) y el ancho de aleta (W) en longitudes de compuerta por debajo de los 100 nm.
Descripción
Creamos transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de compuerta tri-gate de InGaAs por debajo de los 100 nm con una pila de compuerta de doble capa AlO/HfO y estudiamos los efectos de escala en el grosor equivalente de óxido (EOT) y el ancho de aleta (W) en longitudes de compuerta por debajo de los 100 nm.