El HEMT InAlN/GaN ha sido identificado como una alternativa prometedora al HEMT convencional AlGaN/GaN debido a su efecto de polarización mejorado que contribuye a una mayor 2DEG en el canal de GaN. Sin embargo, la barrera InAlN suele sufrir de alta fuga y, por lo tanto, baja tensión de ruptura. En este documento, proponemos una estructura asimétrica de HEMT de GaN que está compuesta por una barrera InAlN en el lado de la fuente y una barrera AlGaN en el lado del drenaje. Este dispositivo novedoso combina las ventajas de alta densidad de 2DEG en el lado de la fuente y baja concentración de campo eléctrico en el lado del drenaje. Según la simulación TCAD, el dispositivo asimétrico propuesto muestra una mejor corriente de drenaje y transconductancia en comparación con el HEMT AlGaN/GaN, y una tensión de ruptura mejorada en comparación con el HEMT InAlN/GaN. Los efectos de colapso de corriente también han sido evaluados desde el punto de vista relacionado con el proceso. Las posibles trampas de interfaz más altas relacionadas con el crecimiento epitaxial en dos etapas para la fabricación de la estructura asimétrica no empeorarán el colapso de corriente y la fiabilidad.