Dinámica no lineal en transistores de efecto de campo de modulación de dipolo de interfaz basados en HfO/SiO para aplicaciones sinápticas
Autores: Miyata, Noriyuki
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Dinámica no lineal en transistores de efecto de campo de modulación de dipolo de interfaz basados en HfO/SiO para aplicaciones sinápticas
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Eficiente en energía
Red neuronal de picos
Dispositivos sinápticos
Tecnologías de memoria
Plasticidad sináptica
Transistor de efecto de campo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 41
Citaciones: Sin citaciones
En la búsqueda de hardware de redes neuronales de impulsos eficiente en energía (SNN), los dispositivos sinápticos que aprovechan las tecnologías de memoria emergentes ofrecen una promesa significativa.
Descripción
En la búsqueda de hardware de redes neuronales de impulsos eficiente en energía (SNN), los dispositivos sinápticos que aprovechan las tecnologías de memoria emergentes ofrecen una promesa significativa.