Rendimiento balístico de transistores de efecto de campo de disulfuro de hafnio cuasi-unidimensionales
Autores: Mati, Mislav; Poljak, Mirko
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Rendimiento balístico de transistores de efecto de campo de disulfuro de hafnio cuasi-unidimensionales
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Disulfuro de hafnio
Nanorrayas
Transistores de efecto de campo
Efectos de confinamiento cuántico
Rendimiento en estado de encendido
Dispositivos electrónicos a escala nanométrica
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
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Citaciones: Sin citaciones
El monolito de disulfuro de hafnio (HfS) es uno de los materiales bidimensionales (2D) más prometedores para los futuros dispositivos electrónicos a escala nanométrica, y al patrón de este en nanorribones de hafnio disulfuro (HfSNRs) cuasi-unidimensionales, se habilitan arquitecturas de múltiples canales para transistores de efecto de campo (FETs).
Descripción
El monolito de disulfuro de hafnio (HfS) es uno de los materiales bidimensionales (2D) más prometedores para los futuros dispositivos electrónicos a escala nanométrica, y al patrón de este en nanorribones de hafnio disulfuro (HfSNRs) cuasi-unidimensionales, se habilitan arquitecturas de múltiples canales para transistores de efecto de campo (FETs).