Transistores de efecto de campo de doble capa eléctrica que utilizan capas bidimensionales (2D) de seleniuro de cobre indio (CuInSe)
Autores: Patil, Prasanna D.; Ghosh, Sujoy; Wasala, Milinda; Lei, Sidong; Vajtai, Robert; Ajayan, Pulickel M.; Talapatra, Saikat
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Transistores de efecto de campo de doble capa eléctrica que utilizan capas bidimensionales (2D) de seleniuro de cobre indio (CuInSe)
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Innovaciones
Diseño
Transistor de efecto de campo
Materiales
Rendimiento
Aplicaciones
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 22
Citaciones: Sin citaciones
Las innovaciones en el diseño de dispositivos de transistor de efecto de campo (FET) serán clave para el desarrollo futuro de aplicaciones relacionadas con tecnologías de dispositivos ultradelgados y de bajo consumo.
Descripción
Las innovaciones en el diseño de dispositivos de transistor de efecto de campo (FET) serán clave para el desarrollo futuro de aplicaciones relacionadas con tecnologías de dispositivos ultradelgados y de bajo consumo.