Mejora de la robustez contra cortocircuitos de 1,2 kV de los transistores de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio de puerta dividida para aplicaciones de alta frecuencia
Autores: Shin, Kanghee; Kim, Dongkyun; Kim, Minu; Park, Junho; Han, Changho
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2025
Acceso abierto
Artículo científico
2025
Mejora de la robustez contra cortocircuitos de 1,2 kV de los transistores de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio de puerta dividida para aplicaciones de alta frecuencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Puerta
SiC
MOSFET
SG-MOSFET
Cortocircuito
Robustez
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
Los resultados demostraron que el PSG-MOSFET logró una robustez al cortocircuito mejorada y un HF-FOM en comparación con el SG-MOSFET.
Descripción
Los resultados demostraron que el PSG-MOSFET logró una robustez al cortocircuito mejorada y un HF-FOM en comparación con el SG-MOSFET.