Este estudio presenta una estructura novedosa de transistor de efecto de campo (FET) tridimensional (3D) que utiliza grafeno bidimensional (2D) como canal, con la longitud del canal controlada por el grosor del dieléctrico depositado. El proceso de deposición dieléctrica permite una implementación más sencilla de características a pequeña escala del orden de nanómetros en comparación con los procesos de patrón tradicionales. La incorporación de estructuras verticales 3D con materiales de canal 2D mejora el rendimiento del dispositivo más allá de los diseños planos convencionales. El proceso de fabricación implica el crecimiento directo de grafeno para el canal y la deposición de dieléctrico a escala nanométrica para el ajuste fácil de la longitud del canal. Los resultados experimentales validan la formación exitosa de grafeno y la operación del transistor, como se evidencia por las características corriente-voltaje. El FET vertical 3D promete una integración de dispositivos mejorada y un rendimiento del sistema en general debido a su estructura de dispositivo única y un método efectivo de implementación de canal corto. Esta investigación subraya el potencial de los materiales 2D en el avance de la tecnología de transistores y presenta un enfoque práctico para aumentar la densidad de dispositivos y mejorar el rendimiento en los procesos de producción de semiconductores.