Para resolver el problema del tremendo consumo de energía en la inteligencia artificial convencional, se está estudiando activamente un sistema neuromórfico basado en hardware. Aunque se han propuesto varios dispositivos sinápticos para el sistema, han mostrado limitaciones en términos de resistencia, fiabilidad, eficiencia energética y compatibilidad con el procesamiento de Si. En este trabajo, diseñamos un transistor sináptico con plasticidad a corto y largo plazo, alta densidad, alta fiabilidad y eficiencia energética, y compatibilidad con el procesamiento de Si. Las características sinápticas del dispositivo son examinadas de cerca y validadas a través de simulación de dispositivos asistida por computadora (TCAD). Como resultado, se han logrado funciones sinápticas completas con alta eficiencia energética.