El MOSFET SiC de 1.2 kV con un óxido enterrado se verificó como efectivo en mejorar las características de conmutación. Es crucial reducir la carga puerta-drenaje (Q) de los dispositivos para minimizar la pérdida de conmutación (E). El MOSFET SiC con una puerta dividida y un dispositivo con un óxido amortiguado han sido propuestos por estudios previos para reducir la Q de los dispositivos. Sin embargo, ambos dispositivos tienen un problema común de concentración del campo eléctrico en el óxido de la puerta. En este documento, proponemos el MOSFET SiC de 1.2 kV con un óxido enterrado para reducir la Q y suprimir el efecto de concentración del campo eléctrico en el óxido de la puerta. Analizamos la resistencia específica de encendido (R), Q y el campo eléctrico máximo en el óxido de la puerta en estado de apagado (E) de acuerdo con el ancho (W) y el grosor de los óxidos enterrados (T). El dispositivo con el óxido enterrado, bajo condiciones óptimas, mostró menor E y E sin un aumento significativo en R en comparación con el dispositivo con una estructura convencional. Estos resultados indican que el óxido enterrado puede mejorar las características de conmutación de los MOSFETs SiC de 1.2 kV.