Transistor DMOSFET de puerta dividida 4H-SiC de 3,3 kV con polisilicio p+ flotante para aplicaciones de alta frecuencia
Autores: Cha, Kyuhyun; Yoon, Jongwoon; Kim, Kwangsoo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Transistor DMOSFET de puerta dividida 4H-SiC de 3,3 kV con polisilicio p+ flotante para aplicaciones de alta frecuencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Capacitancia compuerta-drenaje
SG-DMOSFET
FPS-DMOSFET
Simulaciones TCAD
Voltaje de ruptura
Figura de mérito de alta frecuencia
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
Un transistor de efecto de campo de óxido metálico de puerta dividida (SG-DMOSFET) es una estructura bien conocida utilizada para reducir la capacitancia puerta-drenaje (C) para mejorar las características de conmutación.
Descripción
Un transistor de efecto de campo de óxido metálico de puerta dividida (SG-DMOSFET) es una estructura bien conocida utilizada para reducir la capacitancia puerta-drenaje (C) para mejorar las características de conmutación.