Los tríodos de vacío se han reducido a microescala en un chip mediante tecnologías de microfabricación para convertirse en transistores de vacío. La mayoría de los dispositivos reportados se basan en la emisión de electrones de campo, que sufren de problemas de emisión de electrones inestable, poca uniformidad y alta exigencia de vacío operativo. Aquí, para superar estos problemas, se propone y se fabrica un transistor de vacío basado en la emisión termoiónica asistida por campo de nanotubos de carbono individuales utilizando tecnologías de microfabricación. El transistor de vacío de nanotubos de carbono exhibe una relación de corriente ON/OFF tan alta como 10 y una pendiente de subumbral de ~4 V·dec. Se encontró que la controlabilidad de la compuerta depende fuertemente de la distancia entre los electrodos colectores y el emisor de electrones, y un dispositivo con una distancia de 1,5 m muestra una mejor controlabilidad de la compuerta que aquel con una distancia de 0,5 m. Beneficiándose del mecanismo de emisión termoiónica asistida por campo, el campo eléctrico requerido en nuestros dispositivos es aproximadamente un orden de magnitud menor que en los dispositivos basados en emisión de electrones de campo, y la superficie de los emisores muestra una absorción de moléculas de gas mucho menor que los emisores de campo frío. Se espera que esto sea útil para mejorar la estabilidad y uniformidad de los dispositivos.